单词metal oxide semiconductor
un.: 金属氧化物半导体器件
网络: 金属一氧化物一半导体；氧化金属半导体；金属氧化物半导体型
金属氧化物半导体器件
The invention relates to a manufacture method of a trench type metal-oxide semiconductor device.
一种沟道式金属氧化物半导体元件的制作方法，其特征在于包括：提供一基板；
Provided is a complementary metal oxide semiconductor (CMOS) device and a method of manufacturing the same.
本发明提供了一种互补金属氧化物半导体（CMOS）装置及其制造方法。
The metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) works on a similar principle, but the diode is buried within the MOSFET.
在金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的作品在一个类似的原则，但二极管的MOSFET内掩埋。
The metal-oxide-semiconductor ( MOS ) structure is the basis work for the complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) technology.
金氧半结构是一种存在于CMOS（互补式金氧半导体）制程中的基本的型式。
They studied the pressure dependence of electrical properties of metal-oxide semiconductor in a separate paper.
他们在另一篇文章中给出关于金属氧化物半导体电学特性对压强的依赖关系的研究结果。
Bipolar (Si and SiGe), metal oxide semiconductor (MOS), and compound semiconductor technologies are discussed.
双极（硅锗），金属氧化物半导体（MOS），及化合物半导体技术进行了讨论。
The present invention brings forward a method for determining leakage currents in integrated circuit and metal oxide semiconductor element.
本发明提出一种集成电路及金属氧化物半导体元件中判断漏电流的方法。
Mixed gate metal-oxide-semiconductor transistors are provided.
本发明提供了混合栅极的金属氧化物半导体晶体管。
VMOS? Vertical Metal Oxide Semiconductor?
垂直金属氧化物半导体？。
A method of manufacturing a metal oxide semiconductor (500).
一种制造金属氧化物半导体的方法（500）。